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VBFB165R08SE 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBsemi的VBFB165R08SE是一款单N沟道场效应晶体管(Single N)产品。其主要特点包括650V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS),3.5V的阈值电压(Vth),以及8A的漏极电流(ID)。采用SJ_Deep-Trench技术,封装为TO251。

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产品参数:

详细参数说明:
- 漏极-源极电压(VDS):650V
- 门-源电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在VGS=10V时的导通电阻(mΩ):460
- 漏极电流(ID):8A
- 技术:SJ_Deep-Trench
- 封装:TO251

领域和模块应用:

应用领域和模块示例:
1. 低功率电源模块:由于VBFB165R08SE具有适中的漏极电流和较低的导通电阻,适用于低功率电源模块的设计,如家用电源适配器、小型LED照明驱动器等。
2. 工业控制系统:在一些工业控制系统中,需要对传感器、执行器等进行电力驱动,VBFB165R08SE可以作为功率开关模块,确保系统的稳定性和可靠性。
3. 汽车电子模块:TO251封装适合于汽车电子模块的应用,VBFB165R08SE可用于汽车电子系统中的功率开关模块,如电动窗控制模块、车载充电器等。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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