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VBFB165R07S 产品详细

产品简介:

产品简介:VBsemi 的 VBFB165R07S 是一款单 N 沟道场效应晶体管,适用于高压和高电流应用。具有优秀的导通特性和耐压能力,适合用于各种功率电子应用中。

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产品参数:

详细参数说明:
- 品牌:VBsemi
- 型号:VBFB165R07S
- 类型:单 N 沟道场效应晶体管
- 最大漏极-源极电压(VDS):650V
- 最大栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 栅极-源极电压为 10V 时的导通电阻(mΩ):700
- 最大漏极电流(ID):7A
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO251

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 电动汽车充电桩:VBFB165R07S 的耐压能力和电流承受能力使其成为电动汽车充电桩中的重要组件,确保高效率和稳定性。
2. 工业电源模块:适用于设计工业电源模块,确保稳定可靠的电源输出,满足各种工业应用的需求。
3. 太阳能逆变器:在太阳能逆变器中用于功率转换和控制电路,提供高效率和可靠性的能量转换解决方案。
4. 电动工具和家用电器:在需要承受高压和大电流的电动工具和家用电器中,作为功率开关器件,确保设备的性能和稳定性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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