产品简介:
VBFB165R05SE是VBsemi品牌的Single N MOSFET,具有650V的耐压能力,最大门源电压为30V,阈值电压为3.5V。该器件采用SJ_Deep-Trench技术,封装为TO251。适用于各种电源和功率控制应用。
详细参数说明:
- 型号:VBFB165R05SE
- 品牌:VBsemi
- 类型:Single N MOSFET
- 最大漏极-源极电压(VDS):650V
- 最大门-源电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 10V下的漏极-源极电阻(mΩ):750mΩ
- 最大漏极电流(ID):5A
- 技术:SJ_Deep-Trench
- 封装:TO251
示例应用:
1. 电源模块:VBFB165R05SE适用于电源模块的功率开关,如逆变器和开关电源,提供可靠的电力转换和控制功能。
2. 太阳能逆变器:在太阳能光伏系统中,该器件可用于逆变器的DC-AC转换阶段,将太阳能转换为可用的交流电。
3. 电动车充电桩:作为电动车充电桩中的功率开关元件,VBFB165R05SE能够支持高电压和电流,提供安全高效的充电功能。
4. 工业自动化设备:该器件适用于工业机器人、自动化设备和PLC等系统中的功率开关模块,确保设备的稳定运行和高效能量转换。
5. LED照明控制:在LED照明系统中,VBFB165R05SE可用于LED驱动电路的功率开关控制,帮助实现照明系统的节能和调光功能。
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