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VBFB165R04SE 产品详细

产品简介:

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VBsemi VBFB165R04SE 是一款 Single N MOSFET,采用 SJ_Deep-Trench 技术,封装为 TO251。具有高性能和稳定性,适用于各种功率控制和开关应用。

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产品参数:

详细参数说明:
- 品牌:VBsemi
- 产品型号:VBFB165R04SE
- MOSFET类型:Single N
- 额定电压(VDS):650V
- 栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 栅源电压为10V时的导通电阻:950mΩ
- 最大连续漏极电流(ID):4A
- 技术:SJ_Deep-Trench
- 封装:TO251

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 电源模块:VBFB165R04SE 适用于电源模块中的开关电源、逆变器和稳压器,可用于工业控制和通信设备等领域。
2. LED照明:作为 LED 照明驱动器的关键元件,VBFB165R04SE 可以实现 LED 灯具的高效驱动和调光控制,适用于室内照明和汽车照明等场景。
3. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,VBFB165R04SE 可以用作逆变器中的开关管,实现太阳能电能的转换和输送。
4. 汽车电子:由于其高性能和稳定性,VBFB165R04SE 可以应用于汽车电子系统中,如电动汽车的电力转换模块和充电桩控制器。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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