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VBFB165R04 产品详细

产品简介:

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VBsemi VBFB165R04 是一款单N沟道功率场效应晶体管(MOSFET),采用 Plannar 技术,适用于高性能功率电子应用。该产品具有650V的漏极-源极电压(VDS),4A的漏极电流(ID),以及30V的栅极-源极电压(VGS)。封装为TO251。

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产品参数:

详细参数说明:
- 产品型号:VBFB165R04
- 品牌:VBsemi
- 类型:单N沟道功率场效应晶体管(MOSFET)
- 技术:Plannar
- 漏极-源极电压(VDS):650V
- 栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 栅极-源极电压为10V时的导通电阻(mΩ):2200mΩ
- 漏极电流(ID):4A
- 封装:TO251

领域和模块应用:

应用领域和模块示例:
该产品适用于以下领域和模块:
1. 低功耗电源模块:由于具有低漏极电流和较高的漏极-源极电压,适用于低功耗电源模块,如手机充电器、笔记本电脑电源适配器等。
2. LED驱动电路:可用于LED灯条、LED灯泡等照明产品的功率开关控制,帮助提高LED灯具的效能和稳定性。
3. 汽车电子模块:适用于汽车电子模块中的电机驱动、电源管理等功能,提升汽车系统的性能和可靠性。
4. 工业控制系统:用于工业控制系统中的电力开关和电流控制,帮助实现工业设备的高效运行和稳定性。

以上是部分示例,该产品还可应用于其他需要高性能功率开关的领域和模块中。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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