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VBFB165R03SE 产品详细

产品简介:

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VBsemi VBFB165R03SE 是一款 Single N MOSFET,采用 SJ_Deep-Trench 技术,封装为 TO251。具有高性能和稳定性,适用于各种功率控制和开关应用。

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产品参数:

详细参数说明:
- 品牌:VBsemi
- 产品型号:VBFB165R03SE
- MOSFET类型:Single N
- 额定电压(VDS):650V
- 栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 栅源电压为10V时的导通电阻:1600mΩ
- 最大连续漏极电流(ID):3A
- 技术:SJ_Deep-Trench
- 封装:TO251

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. LED照明:由于 VBFB165R03SE 具有较高的电压容忍度和导通电阻,适用于 LED 照明驱动器中的开关控制,实现 LED 灯具的高效亮度调节和节能效果。
2. 电源管理:在各种电源管理应用中,VBFB165R03SE 可以用作开关电源、逆变器和稳压器等模块中的关键元件,确保电源的稳定输出和高效转换。
3. 工业控制:在工业控制设备中,VBFB165R03SE 可以用作电源开关和控制元件,如PLC控制器、变频器和机器人控制系统,实现设备的高效运行和精确控制。
4. 汽车电子:在汽车电子系统中,VBFB165R03SE 可以应用于电动汽车的电力转换模块和充电桩控制器,确保车辆电力系统的稳定和安全运行。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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