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VBFB165R02 产品详细

产品简介:

产品简介详:
VBsemi的VBFB165R02是一款单N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的栅极-源极电压(VGS),和3.5V的阈值电压(Vth)。该MOSFET在VGS=10V时,具有4300mΩ的导通电阻,可承受最大2A的漏极电流(ID)。采用Plannar技术,封装为TO251。

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产品参数:

参数说明:
- 型号:VBFB165R02
- 品牌:VBsemi
- 类型:单N沟道场效应晶体管(MOSFET)
- 漏极-源极电压(VDS):650V
- 栅极-源极电压(VGS):30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- VGS=10V时的导通电阻:4300mΩ
- 最大漏极电流(ID):2A
- 技术:Plannar
- 封装:TO251

领域和模块应用:

适用领域和模块示例:
该产品适用于以下领域和模块:
1. 小功率电源:用于低功率电源逆变器、稳压器和开关电源。
2. 电动工具:作为电动工具的电源开关和功率控制器,例如电动钻、电动锯等。
3. 电动车辆:在电动自行车、电动滑板车等小型电动车辆中的电动控制系统中有应用。
4. LED驱动:用于低功率LED照明产品,如LED灯泡、灯带等。
5. 智能家居设备:在智能插座、智能开关等设备中,用于功率控制和电源开关。

这些领域和模块需要低功率、高效率的MOSFET来实现功率控制和开关功能,而VBFB165R02正是满足这些要求的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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