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VBFB165R01 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBsemi的VBFB165R01是一款单N沟道场效应晶体管(Single N)产品。其主要特点包括650V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS),3.5V的阈值电压(Vth),以及1A的漏极电流(ID)。采用Plannar技术,封装为TO251。

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产品参数:

详细参数说明:
- 漏极-源极电压(VDS):650V
- 门-源电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在VGS=10V时的导通电阻(mΩ):8500
- 漏极电流(ID):1A
- 技术:Plannar
- 封装:TO251

领域和模块应用:

应用领域和模块示例:
1. 小功率电源模块:由于VBFB165R01具有较低的漏极电流和高的导通电阻,适用于小功率电源模块的设计,如便携式充电器、小型电子设备的电源管理模块等。
2. 低压直流-直流转换器:在低功率应用中,如低功耗电子设备、嵌入式系统等,VBFB165R01可以作为低压直流-直流转换器的功率开关元件,提供稳定的电源输出。
3. 电动玩具控制模块:由于其封装适合于小型电路板,VBFB165R01可用于电动玩具控制模块,例如遥控汽车、飞行器等,提供可靠的电源控制功能。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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