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VBFB1410 产品详细

产品简介:

VBFB1410是一款单N沟道场效应晶体管(MOSFET),主要参数包括耐压(VDS)为40V,门源电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为1.8V,以及在不同门源电压下的导通电阻(RDSon)。其封装形式为TO251。

VBFB1410适用于中功率和中电压的场合,可广泛应用于各种电子设备和模块中。

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产品参数:

参数:
- Single N
- VDS(V):40
- VGS(±V):20
- Vth(V):1.8
- VGS=4.5V时的导通电阻(mΩ):14
- VGS=10V时的导通电阻(mΩ):13
- ID (A):55
- Technology:Trench
封装:TO251

领域和模块应用:


以下是该产品在不同领域和模块中的应用举例:

1. **电源管理模块**:由于VBFB1410具有中等功率特性和较低的导通电阻,适合用作电源管理模块中的功率开关器件,例如用于开关电源、DC-DC转换器和电源逆变器等。

2. **汽车电子模块**:在汽车电子系统中,VBFB1410可以应用于汽车电源管理模块、车载充电器和电动车辆驱动模块等,确保汽车电子系统的稳定和可靠性。

3. **工业控制模块**:在工业控制系统中,VBFB1410可用于控制和驱动工业机器人、传感器和执行器等,实现工业生产过程的自动化和智能化。

4. **通信设备模块**:作为通信设备中的电源管理器件,VBFB1410可以应用于通信基站、无线路由器和网络设备等,实现设备的功率控制和管理功能。

综上所述,VBFB1410适用于各种需要中功率和中电压的电子设备和模块中,包括电源管理模块、汽车电子模块、工业控制模块以及通信设备模块等。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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