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VBFB1203M 产品详细

产品简介:

VBFB1203M是一款单N沟道MOSFET,具有高达200V的额定漏极-源极电压和8A的漏极电流。其特点包括±20V的标准栅极-源极电压、3V的阈值电压以及270毫欧的漏极-源极电阻。该器件采用Trench技术,封装为TO251。

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产品参数:

参数:
- 类型: 单N沟道MOSFET
- 额定漏极-源极电压(VDS): 200V
- 标准栅极-源极电压(VGS): ±20V
- 阈值电压(Vth): 3V
- 栅极-源极电压为10V时的漏极-源极电阻(毫欧): 270
- 漏极电流(ID): 8A
- 技术: Trench
封装: TO251

领域和模块应用:

举例说明:
1. 电源模块: 由于VBFB1203M具有较高的额定电压和漏极电流,适用于各种电源模块,如直流稳压器和开关电源。在直流稳压器中,它可以用作输出端的功率开关器件,实现电压调节和过载保护。
2. 电动工具: 该MOSFET可用于电动工具中的电机控制模块,如电动钻机和电动锯。其高电压和低漏极-源极电阻特性确保了电机驱动系统的高效运行和长期稳定性。
3. LED照明: 在LED照明系统中,VBFB1203M可用作LED驱动电路的功率开关器件,实现LED灯的亮度调节和电流控制。其高电压和低漏极电阻特性确保了LED照明系统的稳定性和可靠性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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