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VBFB1201M 产品详细

产品简介:

VBFB1201M是VBsemi公司生产的单通道N型MOSFET,具有高性能和可靠性。其特性包括200V的漏极-源极电压,20V的栅极-源极电压(最大值),以及3V的阈值电压。此外,它采用沟道深沟工艺(Trench),具有较低的导通电阻和高达16A的最大漏极电流,适用于各种高压、高电流的应用场景。包括电源模块、电机驱动、照明应用和工业控制等模块。

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产品参数:

**参数:**
- **Single N:** 单通道N型MOSFET
- **VDS(V):** 漏极-源极电压:200V
- **VGS(±V):** 栅极-源极电压(最大值):±20V
- **Vth(V):** 阈值电压:3V
- **VGS=10V(mΩ):** 栅极-源极电压为10V时的导通电阻:100mΩ
- **ID (A):** 最大漏极电流:16A
- **Technology:** 沟道深沟工艺(Trench)
- **封装:** TO251

领域和模块应用:


**应用简介:**
VBFB1201M适用于许多领域和模块,其中包括但不限于:

1. **电源模块:** 由于其高耐压和高电流特性,VBFB1201M可用于电源模块中的功率开关和稳压器。它可以帮助实现高效的能量转换和稳定的电源输出。

2. **电机驱动:** 在电机驱动模块中,VBFB1201M可以作为电机控制器的关键组件,用于实现电机的高效控制和运行。其低导通电阻和高漏极电流能够确保电机系统的高性能。

3. **照明应用:** 对于需要高电压和高电流的照明应用,如LED照明和汽车照明系统,VBFB1201M是一个理想的选择。它可以提供可靠的电源开关和调节功能,确保照明系统的稳定性和效率。

4. **工业控制:** 在工业控制模块中,VBFB1201M可用于电气设备、自动化系统和机器人等设备的功率开关和控制。其高耐压和高电流能力使其适用于各种工业环境下的应用。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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