VBFB1102M是VBsemi公司推出的一款单通道N沟道场效应管，具有以下特点和性能：

1. **高压耐受性**：额定电压（VDS）为100V，适用于需要较高电压耐受性的应用场合。
2. **宽电压范围**：栅极-源极电压（VGS）可达±20V，可适应不同的驱动电路要求。
3. **低阈值电压**：阈值电压（Vth）为1.5V，表明该器件在低电压下即可实现可靠的导通，有利于降低功耗。
4. **较高的导通电阻**：在栅极电压为10V时，漏极-源极电阻为200mΩ，具有较高的导通电阻，适用于一些特定的电路应用。
5. **适中的漏极电流容量**：最大漏极电流（ID）可达12A，适用于中等功率负载的驱动。

VBFB1102M作为一款高性能的单通道N沟道场效应管，适用于汽车电子、工业控制、电源转换器、家用电器等多种领域和模块，可为各种电子设备提供稳定、高效的功率控制和驱动功能。