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VBFB1101N 产品详细

产品简介:

VBFB1101N 是一款单个 N 型 MOSFET,适用于多种应用场合。其主要特点包括高电压和高电流承受能力,以及低阈值电压和低导通电阻。VBFB1101N 具有广泛的应用前景,可用于各种需要高性能和可靠性的电源控制和驱动应用中。

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产品参数:

**参数:**
- 单个 N 型 MOSFET
- VDS(V): 100
- VGS(±V): 20
- 阈值电压(V): 1.8
- VGS=10V 时的导通电阻(mΩ): 13
- ID (A): 65
- 技术:沟道(Trench)
**封装:** TO251

领域和模块应用:

以下是该产品适用于的领域和对应的模块:

1. **电源管理模块**:由于 VBFB1101N 具有较高的 VDS 和 ID,以及低阈值电压和导通电阻,因此适合用于电源管理模块中的功率开关和调节器。例如,可用于开关电源、DC-DC 变换器和线性稳压器等应用,帮助提高系统的效率和稳定性。

2. **电动车电驱动模块**:VBFB1101N 的高电压和电流承受能力使其成为电动车电驱动模块中的理想选择。它可以用作电动车控制器中的功率开关,帮助实现电动车的高效能和可靠性。

3. **工业自动化模块**:在工业自动化领域,VBFB1101N 可以用于控制和驱动各种工业设备和机器人。其低阈值电压和导通电阻有助于减少功率损耗,并提高系统的响应速度和精确度。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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