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VBFB1101M 产品详细

产品简介:

VBsemi的VBFB1101M是一款单通道 N 型功率MOSFET,采用Trench技术,适用于各种低功率功率转换和电源管理应用。尽管其漏极电流较低,但其特殊的封装和可靠的性能参数使其在特定领域中表现出色,能够实现可靠的功率开关和稳定的能量转换。

VBsemi的VBFB1101M适用于家庭电器、工业控制、LED照明和车载电子系统等多个领域,为各种低功率模块的设计提供了可靠的功率开关解决方案。

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产品参数:

**参数:**
- 类型: 单通道 N 型
- 最大漏极-源极电压 (VDS): 100V
- 最大栅极-源极电压 (VGS): ±20V
- 阈值电压 (Vth): 1.8V
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻 (mΩ): 110
- 最大漏极电流 (ID): 15A
- 技术: Trench
- 封装: TO251

领域和模块应用:

**适用领域和模块:**
1. **家庭电器控制模块:**
由于VBFB1101M具有适中的功率能力和可靠性,因此非常适合用于设计家庭电器控制模块。例如,热水器、空调和风扇等家电产品中的电源管理和功率控制模块。

2. **工业传感器接口:**
在工业控制领域,VBFB1101M可用于实现低功率的传感器接口和信号处理。其高阈值电压和Trench技术确保了稳定的电压输出和可靠的数据传输,适用于各种工业传感器应用。

3. **LED照明控制器:**
在LED照明系统中,VBFB1101M可用于设计低功率的LED驱动器和控制器模块。其低功率损耗和稳定的功率输出使其成为LED照明控制器中的理想选择,可以实现节能和高效的照明效果。

4. **车载电子系统:**
在车载电子系统中,如汽车电子控制单元(ECU)和车载娱乐系统,VBFB1101M可用于设计低功率的电源管理模块。其高可靠性和稳定性保证了车载电子系统的长期稳定运行和安全性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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