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VBE5638 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBE5638是VBsemi生产的Common Drain N+P型场效应晶体管,适用于多种电子应用。具有双通道设计,可在电路中提供灵活的功率控制。

详细参数说明:
- VDS(V): 最大漏极-源极电压为±60V。
- VGS(±V): 门极-源极电压范围为±20V。
- Vth(V): 开启电压为1.8V(N通道)和-1.7V(P通道)。
- VGS=4.5V(mΩ): 在门极-源极电压为4.5V时,漏极-源极电阻分别为33 mΩ(N通道)和60 mΩ(P通道)。
- VGS=10V(mΩ): 在门极-源极电压为10V时,漏极-源极电阻分别为30 mΩ(N通道)和50 mΩ(P通道)。
- ID (A): 最大漏极电流为35A(N通道)和-19A(P通道)。
- Technology: 采用Trench技术。

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产品参数:

产品型号: VBE5638
品牌: VBsemi
参数: Common Drain N+P
VDS(V): ±60
VGS(±V): 20
Vth(V): 1.8/-1.7
VGS=4.5V(mΩ): 33/60
VGS=10V(mΩ): 30/50
ID (A): 35/-19
Technology: Trench
封装: TO252-4L

领域和模块应用:





适用领域和模块举例:
1. 电源逆变器: VBE5638可用于电源逆变器模块中的功率调节和电路保护,实现高效的能量转换和稳定的电源输出。
2. 电机控制: 在工业自动化领域,该型号可用于电机控制器模块,实现电机的启停和速度调节。
3. 太阳能光伏逆变器: 由于其高电压容忍度和双通道设计,VBE5638适用于太阳能光伏逆变器中的功率逆变器模块,实现太阳能电能的转换和输出。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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