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VBE5415 产品详细

产品简介:

**产品简介:**

VBsemi VBE5415 是一款共源极N沟道和P沟道MOSFET,采用Trench技术,具有高性能和可靠性。该产品适用于各种电源和功率控制应用,封装为TO252-4L。

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产品参数:

**详细参数说明:**

- 品牌:VBsemi
- 产品型号:VBE5415
- MOSFET类型:共源极N沟道和P沟道
- 额定电压(VDS):±40V
- 最大门源电压(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):1.8V(N沟道),-1.7V(P沟道)
- 典型静态漏极电阻(VGS=4.5V):14mΩ(N沟道),14mΩ(P沟道)
- 典型静态漏极电阻(VGS=10V):16mΩ(N沟道),16mΩ(P沟道)
- 最大漏极电流(ID):±50A
- 技术:Trench
- 封装:TO252-4L

领域和模块应用:





**适用领域和模块举例:**

1. **直流电源模块:** VBE5415 可用作功率开关器件,用于各种直流电源模块,如电源逆变器、直流稳压电源等,提供稳定可靠的电源输出。

2. **电动汽车电池管理系统:** 由于其高性能和可靠性,VBE5415 可用于电动汽车电池管理系统中的功率控制模块,实现对电池充放电过程的高效管理。

3. **工业控制设备:** VBE5415 可用于工业控制设备中的功率控制模块,如变频器、电机驱动器等,提供稳定可靠的功率输出。

4. **LED照明系统:** 在LED照明系统中,VBE5415 可用于功率控制模块,如LED驱动器,提供稳定可靠的功率输出,实现LED灯具的高效亮度调节。

5. **太阳能光伏逆变器:** 该产品还可用于太阳能光伏逆变器中的功率控制模块,用于将太阳能电能转换为可用电能,提供稳定的功率输出。

以上是 VBE5415 产品适用的一些领域和模块示例,其高性能和可靠性使其成为各种功率控制应用的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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