VBE5410 - VBsemi MOS管制造商

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VBsemi VBE5410是一款Common Drain N+P型MOSFET，具有双向通道设计，适用于正负电压。其漏极-源极电压（VDS）为±40V，栅极-源极电压（VGS）为±20V，阈值电压（Vth）为1.8V（N通道）/-1.7V（P通道）。采用了Trench技术，具有高效的功率转换和稳定的性能。封装为TO252-4L，适用于高密度集成和散热要求较高的场景。该产品适用于各种应用场景，为电路设计提供了灵活的解决方案。

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产品参数：

详细参数说明：
- 型号：VBE5410
- 品牌：VBsemi
- MOSFET类型：Common Drain N+P
- 漏极-源极电压（VDS）：±40V
- 栅极-源极电压（VGS）：±20V
- 阈值电压（Vth）：1.8V（N通道）/-1.7V（P通道）
- 在VGS=4.5V时的导通电阻（mΩ）：10/10（N/P通道）
- 在VGS=10V时的导通电阻（mΩ）：12/12（N/P通道）
- 漏极电流（ID）：70A（N通道）/-60A（P通道）
- 技术：Trench
- 封装：TO252-4L

领域和模块应用：

应用领域和模块举例：
该产品适用于以下领域和模块：
1. 电源管理：用于开关电源、电池管理系统和逆变器等电源管理系统中的功率开关控制。
2. 电动工具：适用于电动钻、电动锯和电动砂轮等工业和家用电动工具中的功率控制模块。
3. 汽车电子：用于汽车电子系统、发动机控制单元和车载充电器等汽车电子模块。
4. 工业自动化：适用于PLC、工业机器人和自动化生产线等工业控制系统中的功率开关控制。
5. LED照明：用于LED驱动器、照明控制系统和灯具控制模块，实现LED灯的调光和调色。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持：

* 如果您对产品有任何问题，请填写表格提交，我们会24小时内回复您

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