VBE5307 - VBsemi MOS管制造商

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产品简介：

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VBE5307是VBsemi生产的共栅N+P沟道功率MOSFET，采用Trench技术制造，具有优异的性能和可靠性。该产品适用于各种电力电子应用，并在多个领域和模块中发挥着重要作用。

VBE5307具有广泛的应用场景，在电力电子领域中发挥着重要的作用，为各种电子设备提供稳定可靠的功率控制功能。

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产品参数：

详细参数说明：
- 额定电压（VDS）：±30V
- 栅源电压范围（VGS）：±20V
- 阈值电压（Vth）：N沟道：1.8V，P沟道：-1.7V
- 在VGS=4.5V时的导通电阻（mΩ）：N沟道：10mΩ，P沟道：35mΩ
- 在VGS=10V时的导通电阻（mΩ）：N沟道：7mΩ，P沟道：25mΩ
- 最大漏电流（ID）：N沟道：65A，P沟道：-35A

领域和模块应用：

适用领域和模块示例：
1. 电源管理：VBE5307可用于电源管理系统中的DC-DC转换器和稳压器，适用于笔记本电脑、电子产品等。
2. 电机驱动器：在电机驱动器中，VBE5307可用于控制电机的速度和方向，适用于家用电器、工业机械等领域。
3. 电源逆变器：在电源逆变器中，VBE5307可用作功率开关，适用于太阳能逆变器、电动汽车控制器等应用。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持：

* 如果您对产品有任何问题，请填写表格提交，我们会24小时内回复您

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