MOSFET

您现在的位置 > 首页 > MOSFET

VBE3310 产品详细

产品简介:

VBsemi的VBE3310是一款双通道N沟道场效应晶体管(Dual N+N),采用Trench工艺制造。它的主要参数包括:最大漏极-源极电压(VDS)为30V,最大栅极-源极电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为1.7V,以及在不同栅极-源极电压下的导通电阻等。该器件采用TO252-4L封装,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如功率放大、电源开关和LED照明等领域的模块中。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

产品型号: VBE3310
品牌: VBsemi
参数:
- Dual N+N
- VDS(V): 30
- VGS(±V): 20
- Vth(V): 1.7
- VGS=4.5V(mΩ): 15
- VGS=10V(mΩ): 9
- ID (A): 32
- Technology: Trench
封装: TO252-4L

领域和模块应用:

应用示例:
1. **功率放大模块**: VBE3310的双通道设计使其非常适合用于功率放大模块中的功率放大电路。例如,在音频放大器中,它可以用作输出级功率管,帮助实现音频信号的放大和驱动。

2. **电源开关模块**: 由于VBE3310具有较高的最大漏极-源极电压和电流承受能力,因此它也非常适合用于电源开关模块中的开关电源电路。例如,在直流-直流转换器中,它可以用作开关管,帮助实现高效的电源转换和稳定的输出。

3. **LED照明驱动模块**: 该器件的高电压承受能力和低导通电阻使其在LED照明驱动模块中有广泛的应用。例如,在LED驱动器中,它可以用作驱动管,帮助实现LED灯的高效驱动和亮度控制。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

序列号验证

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
序列号验证
在线咨询
电话咨询
微信咨询