VBE2658 - VBsemi MOS管制造商

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VBE2658是VBsemi公司推出的一款高性能单P型场效应晶体管（MOSFET）。该器件具有可靠的漏极-源极电压和栅极-源极电压，以及较低的阈值电压，适用于各种功率电路设计。采用Trench技术制造，具有良好的导通特性和稳定性。TO252封装适用于中等功率应用，具有良好的散热性能和安装方便性，能够满足不同应用场合的需求。

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产品参数：

**产品型号：** VBE2658
**品牌：** VBsemi
**参数：**
- 电源类型：Single P
- 最大漏极-源极电压（VDS）：-60V
- 最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
- 阈值电压（Vth）：-1.7V
- VGS=4.5V时的漏极-源极电阻（mΩ）：58
- VGS=10V时的漏极-源极电阻（mΩ）：46
- 最大漏极电流（ID）：-35A
- 技术：Trench
**封装：** TO252

领域和模块应用：

**举例说明：**
1. 电源开关模块：VBE2658可用于电源开关模块中的开关电路和功率控制，确保电源系统的高效稳定运行，并降低功率损耗。
2. 直流电机控制模块：在直流电机控制模块中，VBE2658适用于电机驱动和速度调节，确保直流电机的稳定运行，并提高其效率和性能。
3. 电源逆变器模块：由于VBE2658具有较低的漏极-源极电阻和较高的漏极电流，可用于电源逆变器模块中的功率逆变和电压调节，提高系统的效率和稳定性。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持：

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MOSFET

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