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VBE2625 产品详细

产品简介:

VBsemi的VBE2625是一款单P通道功率MOSFET,具有-60V的漏极-源极电压(VDS),20V的栅极-源极电压(VGS),和-1.7V的阈值电压(Vth)。在栅极-源极电压为4.5V时,导通时的导通电阻为25mΩ;在栅极-源极电压为10V时,导通时的导通电阻为20mΩ。该MOSFET的最大漏极电流(ID)为-50A,采用Trench技术制造。

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产品参数:

**详细参数说明:**
**品牌:** VBsemi
**参数:**
- 单位: P
- VDS(V): -60
- VGS(±V): 20
- Vth(V): -1.7
- VGS=4.5V(mΩ): 25
- VGS=10V(mΩ): 20
- ID (A): -50
- Technology: Trench

**封装:** TO252

领域和模块应用:

VBE2625适用于多种领域和模块,其中包括但不限于:
1. **电源开关模块:** 由于其高漏极电流和低导通电阻,该MOSFET适用于电源开关模块,如开关电源、逆变器和功率放大器。它能够提供高效的电源开关和稳定的能量转换。

2. **电动工具模块:** 在电动工具领域,VBE2625可用于电动锤钻、电动锯等电动工具的功率控制模块。其高性能和耐用性能够确保电动工具的高效运行和长时间工作。

3. **汽车电子模块:** 在汽车电子领域,该MOSFET可用于汽车电子控制模块,如点火系统、发动机控制单元和车身控制模块。其高温容忍度和可靠性确保了汽车电子系统的稳定运行。

4. **通信设备模块:** 在通信领域,VBE2625可用于通信设备模块,如基站功率放大器、信号放大器和射频调节器。其高性能和可靠性有助于提高通信设备的性能和稳定性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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