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VBE2309 产品详细

产品简介:

VBsemi的VBE2309是一款单P沟道场效应晶体管(FET),适用于多种领域和模块。
采用了TO252封装。

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产品参数:

**详细参数说明:**

- 额定漏极-源极电压(VDS):-30V
- 门极-源极电压(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):-2.5V
- 在VGS=4.5V时的漏极-源极电阻(mΩ):11
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻(mΩ):9
- 最大漏极电流(ID):-60A
- 技术:Trench
- 封装:TO252

领域和模块应用:

VBE2309适用于多种领域和模块,例如:

在电源管理模块中,VBE2309可以用作开关电源中的功率开关器件。其高额定漏极-源极电压和较大的漏极电流,以及相对较低的漏极-源极电阻,使其能够承受大电流并具有较低的导通电阻,适用于要求高效率和低损耗的功率转换电路。

在电机驱动模块中,VBE2309可以用于驱动直流电机或步进电机的电路中。其高额定漏极-源极电压和较大的漏极电流使其能够承受较高的电压和电流,同时其相对较低的漏极-源极电阻保证了较低的导通损耗和高效率。

在照明控制模块中,VBE2309可以用于LED驱动电路中的功率开关器件。其高额定漏极-源极电压和较小的漏极电阻能够提供足够的功率输出,并且其相对较低的阈值电压使得在低电压驱动下具有良好的性能。

在电源逆变器模块中,VBE2309可以用作逆变器电路中的开关管。其高额定漏极-源极电压和较大的漏极电流使其能够承受较高的电压和电流,同时其较小的漏极-源极电阻和Trench技术保证了较低的导通损耗和高效率的逆变操作。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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