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VBE2251K 产品详细

产品简介:

**应用简介:**
VBsemi VBE2251K是一款单极性P型MOSFET,适用于各种功率控制和电源管理应用。其特性包括高漏源电阻和低阈值电压,使其在各种电路设计中表现出色。

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产品参数:

**VBsemi VBE2251K**

**品牌:** VBsemi
**参数:**
- 单极性P型MOSFET
- 额定漏极-源极电压(VDS):-250V
- 门源电压范围(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):-2V
- 静态电流放大倍数(VGS=4.5V时的漏源电阻):1200 mΩ
- 静态电流放大倍数(VGS=10V时的漏源电阻):1000 mΩ
- 最大漏极电流(ID):-6A
- 技术:Trench
**封装:** TO252




领域和模块应用:

**适用领域和模块示例:**

1. **电源逆变器模块:**
VBsemi VBE2251K可用于电源逆变器模块,用于将直流电源转换为交流电源,例如在太阳能逆变器和电动汽车充电器中。

2. **电机驱动器:**
由于其高电压和电流能力,VBsemi VBE2251K非常适用于电机驱动器,如电动工具、家用电器和工业自动化设备中的直流电机控制模块。

3. **照明控制器:**
在LED照明系统中,VBsemi VBE2251K可以用作照明控制器的关键部件,实现对LED灯的亮度和颜色的精确控制。

4. **电动汽车充电器:**
由于其高电压和电流承受能力,VBsemi VBE2251K适用于电动汽车充电器模块,可以实现快速、高效的电动汽车充电功能。

总之,VBsemi VBE2251K的特性使其在多个领域的功率控制和电源管理模块中表现出色,为各种应用提供可靠的性能和高效的能源转换。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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