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VBE2102M 产品详细

产品简介:

VBsemi品牌的VBE2102M是一款单P型Trench技术MOSFET,封装为TO252。适用于电源管理、汽车电子系统、LED照明和工业控制设备等多种领域和模块,为各种应用场景提供高性能的功率开关解决方案。

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产品参数:

详细参数说明:
- 额定漏极-源极电压(VDS):-100V
- 栅极-源极电压(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):-2V
- 栅-源极电压为4.5V时的漏极-源极电阻(mΩ):280mΩ
- 栅-源极电压为10V时的漏极-源极电阻(mΩ):250mΩ
- 静态漏极电流(ID):-8.8A

领域和模块应用:

应用简介:
VBE2102M适用于多种领域和模块,具有高性能功率开关的特点,可应用于以下场景:
1. 电源管理模块:该MOSFET可用于电源管理模块中的功率开关,如电源适配器、稳压器等,以提供稳定可靠的电源输出。
2. 汽车电子系统:在汽车电子系统中,VBE2102M可用于电动车辆的电池管理系统和电机控制模块,确保汽车的高效能和驱动控制。
3. LED照明系统:适用于LED照明系统中的功率开关模块,如LED驱动器、照明控制器等,以实现高效能和可调节的光照。
4. 工业控制设备:该MOSFET可用于工业控制设备中的电源开关和驱动控制模块,如工业机器人、PLC控制器等,以提高系统的效率和可靠性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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