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VBE2101M 产品详细

产品简介:

VBE2101M是VBsemi品牌生产的单路P型MOSFET,并采用TO252封装。适用于需要P型MOSFET的高功率和高性能电子模块中,为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。

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产品参数:

主要参数:
工作电压VDS为-100V,门源电压VGS为±20V,阈值电压Vth为-2V,在VGS=4.5V时的导通电阻为120mΩ,在VGS=10V时的导通电阻为100mΩ,最大漏电流ID为-16A。
该产品采用了Trench工艺,并采用TO252封装。

领域和模块应用:

VBE2101M适用于多种领域的应用模块,
例如:

1. 电源管理模块:在电源管理系统中,VBE2101M可用作功率开关器件,用于控制电源的开关和调节。其高耐压和低导通电阻特性使其能够在高频率下工作,例如用于电源逆变器中的功率开关模块。

2. 电动汽车控制模块:在电动汽车的控制系统中,VBE2101M可用于驱动电动汽车的电机和控制车辆的各种功能模块。其高电压和高导通电流特性使其适用于汽车电路中的高功率应用,例如用于电动汽车中的电机驱动器模块。

3. 工业自动化模块:在工业自动化领域,VBE2101M可用于工厂自动化系统中的驱动电机模块、传感器接口模块和工业机器人控制模块等。其高导通电流和低导通电阻特性使其能够承受工业环境中的高功率和高温,并具有可靠的性能。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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