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VBE19R11S 产品详细

产品简介:

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VBsemi的VBE19R11S是一款Single N型场效应晶体管,采用SJ_Multi-EPI技术制造。它具有高达900V的漏极-源极电压(VDS),并支持最大30V的门极-源极电压(VGS)。此外,它的门极阈值电压(Vth)为3.5V,当VGS为10V时的导通电阻为380mΩ,最大漏极电流(ID)为11A。该产品封装为TO252。

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产品参数:

详细参数说明:

- 型号:VBE19R11S
- 品牌:VBsemi
- 类型:Single N型场效应晶体管
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 漏极-源极电压(VDS):900V
- 门极-源极电压(VGS):±30V
- 门极阈值电压(Vth):3.5V
- VGS=10V时的导通电阻:380mΩ
- 最大漏极电流(ID):11A
- 封装:TO252

领域和模块应用:





适用领域和模块:

该产品适用于以下领域和模块:
1. 电源管理模块:由于具有较高的漏极-源极电压和适中的导通电阻,适用于设计高功率的开关电源和稳压器。
2. 工业控制系统:可用于工业控制系统中的功率开关模块,实现对工业设备的精确控制。
3. 高端电动汽车电机驱动器:在高端电动汽车中,可用于电机驱动模块,实现高效能的电动汽车驱动。
4. 太阳能逆变器:在太阳能逆变器中,可用于功率开关模块,将太阳能转换为电能并接入电网。

这些只是一些示例,实际上该产品还可能适用于许多其他领域和模块,具体取决于其技术参数和应用需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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