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VBE19R09S 产品详细

产品简介:

该型号产品简介:

VBE19R09S 是 VBsemi 公司生产的单路 N 型 MOSFET,采用 SJ_Multi-EPI 技术,封装为 TO252。该产品具有以下主要特点:
- 额定漏极-源极电压(VDS)为 900V,能够承受较高的电压。
- 标准门源电压(VGS)为 ±30V,门阈电压(Vth)为 3.5V,可适用于多种驱动电路。
- 在 VGS=10V 时,导通电阻为 750mΩ,具有较低的导通电阻,有利于降低功耗和提高效率。
- 最大漏极电流(ID)为 9A,适用于中等功率的应用场合。

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产品参数:

该型号产品详细参数说明:

1. 产品型号:VBE19R09S
2. 品牌:VBsemi
3. 参数:
- 类型:单路 N 型 MOSFET
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO252
- 额定漏极-源极电压(VDS):900V
- 标准门源电压(VGS):±30V
- 门阈电压(Vth):3.5V
- VGS=10V 时导通电阻:750mΩ
- 最大漏极电流(ID):9A

领域和模块应用:




适用领域和模块举例:

1. 电源模块:VBE19R09S 可应用于电源模块中的开关电源、稳压器等电路中,用于实现功率开关和电源调节。
2. LED 驱动器:在 LED 照明领域,该型号的 MOSFET 可用作 LED 驱动器中的功率开关元件,实现 LED 灯具的高效驱动和调光控制。
3. 工业控制设备:VBE19R09S 可用于工业控制设备中的电机控制、传感器接口等功能,帮助实现自动化生产和智能控制。
4. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,该型号的 MOSFET 可用于逆变器模块中,用于电能转换和电压调节,提高太阳能发电系统的效率。
5. 电动汽车充电桩:VBE19R09S 可用于电动汽车充电桩中的功率开关控制模块,实现电动汽车的快速充电和电能管理。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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