产品简介：
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VBsemi的VBE19R07S型号是一款单通道N沟道功率MOSFET，具有900V的漏极-源极电压（VDS）、7A的漏极电流（ID），以及3.5V的阈值电压（Vth）。采用了SJ_Multi-EPI技术，封装为TO252。该MOSFET适用于高压高功率的应用场景，并具有较低的导通电阻和较高的漏极电流承受能力。
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产品参数：
详细参数说明：
- 产品型号：VBE19R07S
- 品牌：VBsemi
- 类型：单通道N沟道功率MOSFET
- 最大漏极-源极电压（VDS）：900V
- 门-源电压（VGS）范围：±30V
- 阈值电压（Vth）：3.5V
- 在详细参数说明：
- 产品型号：VBE19R07S
- 品牌：VBsemi
- 类型：单通道N沟道功率MOSFET
- 最大漏极-源极电压（VDS）：900V
- 门-源电压（VGS）范围：±30V
- 阈值电压（Vth）：3.5V
- 在VGS=10V时的导通电阻（mΩ）：770
- 最大漏极电流（ID）：7A
- 技术：SJ_Multi-EPI
- 封装：TO252
领域和模块应用：
应用领域举例：
1. 电源模块：VBE19R07S可用于电源模块中的开关电源，提供稳定的高压电力输出，适用于服务器电源、工业电源等领域。
2. 电动汽车充电桩：在电动汽车充电桩中，需要承受较高的电压和电流，VBE19R07S可作为开关元件，实现充电过程的控制和调节。
3. 太阳能逆变器：在太阳能逆变器中，需要高效率的功率开关器件来实现太阳能电能的转换和输出，VBE19R07S的高电压和电流特性使其成为逆变器模块的理想选择。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持：
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