产品简介:
产品简介:
VBsemi的VBE19R07S型号是一款单通道N沟道功率MOSFET,具有900V的漏极-源极电压(VDS)、7A的漏极电流(ID),以及3.5V的阈值电压(Vth)。采用了SJ_Multi-EPI技术,封装为TO252。该MOSFET适用于高压高功率的应用场景,并具有较低的导通电阻和较高的漏极电流承受能力。
文件下载
产品参数:
VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
TO252 |
Single-N |
900V |
30(±V) |
3.5V |
7A |
|
|
770(mΩ) |
SJ_Multi-EPI |
详细参数说明:
- 产品型号:VBE19R07S
- 品牌:VBsemi
- 类型:单通道N沟道功率MOSFET
- 最大漏极-源极电压(VDS):900V
- 门-源电压(VGS)范围:±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在详细参数说明:
- 产品型号:VBE19R07S
- 品牌:VBsemi
- 类型:单通道N沟道功率MOSFET
- 最大漏极-源极电压(VDS):900V
- 门-源电压(VGS)范围:±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在VGS=10V时的导通电阻(mΩ):770
- 最大漏极电流(ID):7A
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO252
领域和模块应用:
应用领域举例:
1. 电源模块:VBE19R07S可用于电源模块中的开关电源,提供稳定的高压电力输出,适用于服务器电源、工业电源等领域。
2. 电动汽车充电桩:在电动汽车充电桩中,需要承受较高的电压和电流,VBE19R07S可作为开关元件,实现充电过程的控制和调节。
3. 太阳能逆变器:在太阳能逆变器中,需要高效率的功率开关器件来实现太阳能电能的转换和输出,VBE19R07S的高电压和电流特性使其成为逆变器模块的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持:
* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您