产品简介:
VBE195R03是VBsemi生产的Single N型场效应晶体管，适用于各种电子应用。它具有高电压容忍度和低阈值电压，可在不同场景下实现可靠的性能。

详细参数说明:
- VDS(V): 最大漏极-源极电压为950V。
- VGS(±V): 门极-源极电压范围为±30V。
- Vth(V): 阈值电压为3.3V。
- VGS=4.5V(mΩ): 在门极-源极电压为4.5V时，漏极-源极电阻为6750 mΩ。
- VGS=10V(mΩ): 在门极-源极电压为10V时，漏极-源极电阻为5400 mΩ。
- ID (A): 最大漏极电流为3A。
- Technology: 采用Plannar技术。