VBE18R09S - VBsemi MOS管制造商

VBE18R09S 产品详细

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产品简介：

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VBE18R09S是VBsemi品牌的Single N型场效应晶体管，具有800V的漏极-源极电压（VDS），30V的栅极-源极电压（VGS），以及3.5V的阈值电压（Vth）。该产品采用SJ_Multi-EPI技术，封装为TO252。

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产品参数：

详细参数说明：
- VDS(V): 800V
- VGS(±V): 30V
- Vth(V): 3.5V
- VGS=10V时的导通电阻：510mΩ
- 最大漏极电流（ID）：9A

领域和模块应用：

适用领域和模块举例：
- 太阳能逆变器：VBE18R09S适用于太阳能逆变器中的功率调节模块，可将太阳能电池板产生的直流电转换为可用于电网的交流电。
- 工业电机控制：在工业领域，该产品可用于工业电机控制系统中的开关电源、变频器和电力传输系统，实现对工业设备的高效控制。
- 汽车电子：VBE18R09S可应用于电动汽车的驱动系统中，如电动汽车的电机驱动控制器，以提供高效、可靠的功率输出。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持：

* 如果您对产品有任何问题，请填写表格提交，我们会24小时内回复您

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