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VBE18R08S 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBsemi的VBE18R08S是一款Single N MOSFET,具有800V的漏极-源极电压(VDS),30V的门极-源极电压(VGS,正负),以及3.5V的门极阈值电压(Vth)。该器件采用SJ_Multi-EPI技术制造,封装为TO252。

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产品参数:

详细参数说明:
- VDS(漏极-源极电压):800V
- VGS(门极-源极电压):±30V
- Vth(门极阈值电压):3.5V
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻(mΩ):550
- 最大漏极电流(ID):8A

领域和模块应用:

该产品适用领域及模块示例:
1. 汽车电子:由于VBE18R08S具有较高的漏极-源极电压和较大的漏极电流,可用于汽车电子系统中的电动车控制模块,如电机驱动器和动力逆变器。
2. 电源管理:在工业和消费电子领域,VBE18R08S可用于高压电源管理模块,如开关稳压器和DC-DC转换器,以实现高效的能量转换和稳定的电源输出。
3. 太阳能逆变器:由于其高电压和大电流特性,VBE18R08S适用于太阳能逆变器的功率模块,用于将太阳能电能转换为可用的交流电能。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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