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VBE18R07S 产品详细

产品简介:

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VBsemi的VBE18R07S是一款单N型MOSFET,具有以下主要特点:最大漏源电压(VDS)为800V,最大门源电压(VGS)为±30V,阈值电压(Vth)为3.5V。在VGS=10V时,其导通电阻为770 mΩ,最大漏极电流(ID)为7A。该产品采用了SJ_Multi-EPI技术,并采用TO252封装。

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产品参数:

详细参数说明:

- 产品型号:VBE18R07S
- 品牌:VBsemi
- 类型:单N型MOSFET
- 最大漏源电压(VDS):800V
- 最大门源电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- VGS=10V时的导通电阻:770 mΩ
- 最大漏极电流(ID):7A
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO252

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:

VBE18R07S MOSFET适用于多种领域和模块,以下是一些典型的应用场景:
1. 电源供应模块:用于开关电源、逆变器等,以控制电流和电压输出。
2. 电动车充放电管理:用于电动车的充电器和电机驱动系统,以管理电池充放电过程。
3. 工业控制:适用于工业自动化设备中的电流和电压控制模块,例如变频器、PLC等。
4. 照明应用:可用于LED驱动电路,以调节照明设备的亮度和色温。
5. 汽车电子:适用于汽车电子系统中的电源管理、电机驱动和控制等功能模块。

以上是VBE18R07S MOSFET的一些典型应用场景,其特性使其在各种需要高电压、高电流控制的应用中具有广泛的应用潜力。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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