MOSFET

您现在的位置 > 首页 > MOSFET

VBE18R06SE 产品详细

产品简介:

该型号产品简介:

VBE18R06SE 是 VBsemi 公司生产的单路 N 型 MOSFET,采用 SJ_Deep-Trench 技术,封装为 TO252。该产品具有以下主要特点:
- 额定漏极-源极电压(VDS)为 800V,能够承受较高的电压。
- 标准门源电压(VGS)为 ±30V,门阈电压(Vth)为 3.5V,可适用于多种驱动电路。
- 在 VGS=10V 时,导通电阻为 750mΩ,具有较低的导通电阻,有利于降低功耗和提高效率。
- 最大漏极电流(ID)为 6A,适用于中小功率的应用场合。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

该型号产品详细参数说明:

1. 产品型号:VBE18R06SE
2. 品牌:VBsemi
3. 参数:
- 类型:单路 N 型 MOSFET
- 技术:SJ_Deep-Trench
- 封装:TO252
- 额定漏极-源极电压(VDS):800V
- 标准门源电压(VGS):±30V
- 门阈电压(Vth):3.5V
- VGS=10V 时导通电阻:750mΩ
- 最大漏极电流(ID):6A

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:

1. 工业电源模块:由于 VBE18R06SE 具有较高的漏极-源极电压和适中的漏极电流,适合用于设计工业电源模块,如交流至直流转换器(AC-DC Converter)和直流至直流转换器(DC-DC Converter)。
2. 电动车充电器:在电动车充电器中,VBE18R06SE 可以作为开关管,用于控制充电器的输出电压和电流,实现快速、高效的充电。
3. 太阳能逆变器:该型号的 MOSFET 适用于太阳能逆变器中的功率开关模块,用于将太阳能板产生的直流电转换为交流电,并接入电网。
4. LED 驱动器:VBE18R06SE 具有低导通电阻和较高的漏极-源极电压,适用于 LED 驱动器中的功率开关电路,帮助实现 LED 灯的高效驱动和稳定光输出。
5. 电机控制模块:在电机控制模块中,VBE18R06SE 可以用作功率开关元件,用于控制电机的启停和转速调节,如用于家用电器、工业机械等领域。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

序列号验证

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
序列号验证
在线咨询
电话咨询
微信咨询