VBE18R06S - VBsemi MOS管制造商

VBE18R06S 产品详细

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产品简介：

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VBE18R06S是VBsemi品牌的Single N型场效应晶体管，具有800V的漏极-源极电压（VDS），30V的栅极-源极电压（VGS），以及3.5V的阈值电压（Vth）。该产品采用SJ_Multi-EPI技术，封装为TO252。

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产品参数：

详细参数说明：
- VDS(V): 800V
- VGS(±V): 30V
- Vth(V): 3.5V
- VGS=10V时的导通电阻：850mΩ
- 最大漏极电流（ID）：6A

领域和模块应用：

适用领域和模块举例：
- 太阳能逆变器：由于其高压和高效能特性，VBE18R06S可用于太阳能逆变器中的直流-交流转换模块，将太阳能电池板产生的直流电转换为可用于电网的交流电。
- 工业电源模块：在工业领域，该产品可应用于工业电源模块中的开关电源、电动机驱动器以及电力传输和分配系统。
- 电动汽车充电桩：VBE18R06S适用于电动汽车充电桩中的直流充电模块，实现对电动汽车电池的快速、高效充电。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持：

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