MOSFET

您现在的位置 > 首页 > MOSFET

VBE18R05S 产品详细

产品简介:

**产品简介:**
VBsemi的VBE18R05S是一款单N沟道功率MOSFET,具有高性能和可靠性。该MOSFET采用SJ_Multi-EPI技术制造,能够在高压条件下提供稳定的性能。封装为TO252,易于安装和使用。它适用于各种电力应用场合,为电子系统提供可靠的功率控制和调节。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

**详细参数说明:**
- 品牌:VBsemi
- 型号:VBE18R05S
- 类型:单N沟道功率MOSFET
- 最大漏极-源极电压(VDS):800V
- 最大栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- VGS=10V时的漏极-源极电阻(mΩ):1100
- 最大漏极电流(ID):5A
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO252

领域和模块应用:



**应用领域和模块示例:**
1. 工业电源模块:VBE18R05S的高漏极-源极电压和稳定的性能使其成为工业电源模块中的理想选择,可用于工厂自动化、机器人技术等领域。
2. 电动车充电器:由于其高漏极-源极电流和可靠性,VBE18R05S适用于电动车充电器中的功率转换和控制模块,确保充电效率和安全性。
3. 太阳能逆变器:该MOSFET可在太阳能逆变器中提供高效的功率转换,将太阳能电能转换为可用电能,推动清洁能源的发展。
4. LED照明驱动器:VBE18R05S的高性能和可靠性使其成为LED照明驱动器中的关键组件,确保LED灯具的稳定工作和长寿命。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

序列号验证

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
序列号验证
在线咨询
电话咨询
微信咨询