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VBP15R25S 产品详细

产品简介:

产品简介

VBP15R25S 是一款高电压单N沟道MOSFET,封装形式为TO247。该器件具有500V的漏源电压(VDS)和±30V的栅源电压(VGS),使其适用于高电压应用。其门限电压(Vth)为3.49V,在VGS=10V时导通电阻(RDS(ON))为127mΩ,可以提供高达25A的连续漏极电流。VBP15R25S 采用了超结多重外延(SJ_Multi-EPI)技术,优化了其电气性能和开关效率,特别适合高功率密度和高电压的应用场合。

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产品参数:

详细参数说明

- **封装类型 (Package)**: TO247
- **器件类型 (Configuration)**: 单N沟道 (Single-N)
- **漏源电压 (VDS)**: 500V
- **栅源电压 (VGS)**: ±30V
- **门限电压 (Vth)**: 3.49V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 127mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 25A
- **技术**: 超结多重外延 (SJ_Multi-EPI)

领域和模块应用:

应用领域和模块举例

1. **电源转换系统**: VBP15R25S 由于其高电压和高电流能力,非常适合用于高电压开关电源(SMPS)和DC-DC转换器。这些应用中,它可以处理高电压输入,并提供稳定的电压输出,确保电源系统的可靠性和效率。

2. **工业电力控制**: 在工业电力控制系统中,该MOSFET可以用于电机驱动、变频器以及其他高功率开关应用。其高电流处理能力和高电压耐受能力使其能够处理复杂的电力转换任务。

3. **汽车电子**: VBP15R25S 也适用于汽车电子系统,如电池管理系统和电动汽车充电器。这些应用需要高电压和高电流的MOSFET来确保电能的有效管理和传输。

4. **高功率逆变器**: 在太阳能逆变器和风能逆变器等高功率逆变器应用中,VBP15R25S 的高电压和高电流特性可以有效地处理逆变器中的高功率需求,并提高系统的整体效率和可靠性。

这些应用示例展示了VBP15R25S在高电压电源转换、工业电力控制、汽车电子和高功率逆变器中的广泛适用性,使其成为高性能电子系统中的重要组件。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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