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VBM2124N 产品详细

产品简介:

VBM2124N 产品简介

产品介绍
VBM2124N 是一款高性能 P-channel MOSFET,专为高电压和高电流应用设计。该 MOSFET 封装为 TO220,单 P-channel 配置,具有 -120V 的漏源电压 (VDS) 和 ±20V 的栅源电压 (VGS)。该器件的门槛电压 (Vth) 为 -2.7V,RDS(ON) 为 38mΩ (VGS = 10V),并且最大持续漏电流 (ID) 为 -40A。采用 Trench 技术,VBM2124N 提供了卓越的开关性能和高效的电源管理能力。

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产品参数:

详细参数
- **封装:** TO220
- **配置:** 单 P-channel
- **漏源电压 (VDS):** -120V
- **栅源电压 (VGS):** ±20V
- **门槛电压 (Vth):** -2.7V
- **导通电阻 (RDS(ON)):** 38mΩ @ VGS = 10V
- **持续漏电流 (ID):** -40A
- **技术:** Trench

领域和模块应用:

应用示例
1. **电源管理:**
VBM2124N 非常适合用于高电压电源管理系统,包括电源开关和电源转换器。其高耐压和低导通电阻使其能够高效地控制电源开关,提高整体电源效率和可靠性。

2. **电动汽车:**
在电动汽车中,VBM2124N 可用于电池管理系统 (BMS) 和电动机驱动电路。其高电流处理能力和低导通电阻确保了电池和电动机的稳定运行,提升了系统的能效和可靠性。

3. **电机驱动:**
在电机驱动应用中,VBM2124N 可用于控制和驱动电动机。其高电流能力和低导通电阻确保了电机的高效操作,适合于工业和家用电机控制系统。

4. **高压开关:**
在需要高压开关的应用场景中,如逆变器和高压电源模块,VBM2124N 能够高效地切换负载状态。其耐高电压和大电流能力确保了在高压环境中的可靠性和稳定性。

总体而言,VBM2124N MOSFET 是一个高性能的 P-channel 组件,适用于各种高电压和高电流的应用,提供了高效的电源管理和稳定的开关性能。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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