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VBFB1638 产品详细

产品简介:

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VBFB1638是一款高性能的单N沟道MOSFET,采用TO251封装。它具有60V的漏源电压(VDS)、±20V的栅源电压(VGS)和1.8V的阈值电压(Vth)。该MOSFET在VGS为10V时的导通电阻为35mΩ,并支持高达40A的连续漏极电流(ID)。VBFB1638采用先进的Trench技术,具有优良的开关性能和低导通损耗,适用于各种要求高电流和低功耗的应用场景。

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产品参数:

详细参数说明

- **型号**: VBFB1638
- **封装类型**: TO251
- **配置**: 单N沟道(Single-N)
- **漏源电压(VDS)**: 60V
- **栅源电压(VGS)**: ±20V
- **阈值电压(Vth)**: 1.8V
- **导通电阻(RDS(ON))**: 35mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID)**: 40A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

适用领域和模块举例

1. **电源管理**
VBFB1638因其高电流处理能力和低导通电阻,适合用于电源管理模块。这包括DC-DC转换器、电源开关以及电压调节电路,可提供高效、可靠的电源解决方案,减少功率损耗。

2. **电动工具**
在电动工具中,VBFB1638可以用作电流开关或驱动器。它的高电流能力和低导通电阻有助于提高电动工具的效率和性能,使其能够处理较大的负载而不会过热。

3. **电动汽车**
该MOSFET的特性也使其适用于电动汽车的电池管理系统(BMS)和驱动控制模块。它能够处理高电流并提供稳定的开关性能,从而提高电动汽车的动力系统效率和可靠性。

4. **LED照明**
在LED照明应用中,VBFB1638的低导通电阻和高电流能力使其适合用于LED驱动器和调光器。它能有效控制LED的电流,提供稳定的亮度并延长LED的使用寿命。

这些应用示例展示了VBFB1638在高电流和高效率要求的场合中的广泛适用性,其卓越的电气特性使其在各种关键应用中都能提供优异的性能。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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