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VBFB1206N 产品详细

产品简介:

VBFB1206N MOSFET 产品简介

VBFB1206N 是一款高性能 N 通道功率 MOSFET,封装在 TO251 封装中,适用于需要处理较高电压和电流的应用。该 MOSFET 的 VDS(漏源电压)为 200V,VGS(栅源电压)范围为 ±20V,能够在较高电压条件下稳定工作。其阈值电压(Vth)为 3.42V,确保在栅电压达到一定值时能够可靠地导通。VBFB1206N 的 RDS(ON) 为 51mΩ @ VGS=10V,支持最大连续漏电流(ID)为 30A。该器件采用了 Trench 技术,提供优良的开关性能和低导通电阻。

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产品参数:

详细参数说明

1. **封装:** TO251
2. **配置:** 单N通道
3. **VDS(漏源电压):** 200V
4. **VGS(栅源电压):** ±20V
5. **Vth(阈值电压):** 3.42V
6. **RDS(ON)(导通电阻):** 51mΩ @ VGS=10V
7. **ID(连续漏电流):** 30A
8. **技术:** Trench

领域和模块应用:

应用领域和使用场景

VBFB1206N MOSFET 由于其高压承受能力和低导通电阻,适合用于多个领域和模块:

1. **高压电源开关:** 适用于高压开关模式电源(SMPS),在电源转换过程中提供高效的开关性能和低功耗,适合用于电源适配器和服务器电源。
2. **电力逆变器:** 适用于将直流电转换为交流电的逆变器,特别是用于太阳能发电系统和工业电力转换系统,提供稳定的电力转换。
3. **电机驱动:** 在电机控制系统中,VBFB1206N 可用于高电压电机驱动和控制应用,支持电机的启动、运行和调速功能。
4. **LED驱动:** 适用于高功率 LED 驱动电路,能够在高电压条件下提供稳定的电流控制,保证 LED 的亮度和寿命。
5. **功率保护电路:** 在各种功率保护电路中使用,如过压、过流保护电路,提供可靠的保护功能,防止设备损坏。
6. **电池管理系统:** 在电池管理系统中,VBFB1206N 可用于电池的保护和监测,确保电池在安全范围内运行,防止过充和过放。

这些示例展示了 VBFB1206N MOSFET 的多用途和在高压、高电流应用中的可靠性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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