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VBF2317 产品详细

产品简介:

产品概述:VBF2317

VBF2317 是一款高性能的单极P沟MOSFET,采用TO251封装。该MOSFET 专为高电流和低导通电阻应用设计,具备-30V的漏源电压(V_DS)和±20V的栅源电压(V_GS)。其阈值电压(V_th)为-1.8V,具有24mΩ的低导通电阻(R_DS(on))@ V_GS = 4.5V和18mΩ的更低导通电阻(R_DS(on))@ V_GS = 10V,最大连续漏极电流(I_D)为-40A。采用Trench技术,VBF2317 提供了优异的开关性能和低导通损耗,适合高效能电源和电流控制应用。

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产品参数:

详细参数说明

- **漏源电压 (V_DS):** -30V
- 漏极和源极之间可以承受的最大负电压。

- **栅源电压 (V_GS):** ±20V
- 栅极和源极之间可以施加的最大电压。

- **阈值电压 (V_th):** -1.8V
- 开启MOSFET所需的最小栅源电压。

- **导通电阻 (R_DS(on)):** 24mΩ @ V_GS = 4.5V
- 当MOSFET处于“开启”状态时,漏极和源极之间的电阻,测量栅源电压为4.5V时的值。

- **导通电阻 (R_DS(on)):** 18mΩ @ V_GS = 10V
- 当MOSFET处于“开启”状态时,漏极和源极之间的电阻,测量栅源电压为10V时的值。

- **连续漏极电流 (I_D):** -40A
- 当设备得到适当散热时,漏极端可以流过的最大连续负电流。

- **封装类型:** TO251
- MOSFET的物理封装,提供良好的散热性能和结构稳定性。

- **配置:** 单极P沟
- 表示该MOSFET具有单个P沟道用于导电。

- **Trench技术:**
- 表示MOSFET采用Trench技术制造,提供优异的开关性能和低导通损耗。

领域和模块应用:

应用示例

**1. 电源管理系统:**
- VBF2317 MOSFET 可以用于电源管理系统中的高电流开关,特别是需要处理负电压的应用。其低导通电阻确保了高效能和低功率损耗,使其适合在电源分配和保护电路中使用。

**2. 电动机驱动:**
- 在电动机驱动应用中,VBF2317 可用于控制电动机的负电流路径,适合用于电动工具和电动汽车等高功率驱动系统。其高电流处理能力和低导通电阻使其在这些应用中表现优异。

**3. 逆变器:**
- 在逆变器应用中,尤其是用于太阳能和风能逆变器中,VBF2317 可以作为开关元件,处理负电压并确保高效的能量转换和电力调节。

**4. 负载开关:**
- 该MOSFET 适用于负载开关应用,如在负载保护电路中用于控制高电流负载的开关。其低R_DS(on) 确保了在高负载情况下的高效性能和可靠性。

**5. 电池管理系统:**
- 在电池管理系统中,VBF2317 可用于控制电池的充电和放电路径,特别是在处理负电压的场合。其高电流和低导通电阻特性确保了电池管理系统的稳定性和高效性。

通过将VBF2317 MOSFET 应用于这些领域,设计师可以实现高效、可靠的性能,满足高电流和负电压处理的要求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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