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VBE18R02S 产品详细

产品简介:

产品简介:VBsemi的VBE18R02S是一款单N沟道MOSFET,采用SJ_Multi-EPI技术,封装为TO252。该产品具有高达800V的漏极-源极电压(VDS),最大2A的漏极电流(ID),以及30V的门源电压(VGS)。其特点包括低门源电压阈值(Vth)为3.5V和较低的导通电阻为2600mΩ(VGS=10V)。适用于各种功率控制和开关应用。

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产品参数:

详细参数说明:
- 产品型号:VBE18R02S
- 品牌:VBsemi
- 类型:单N沟道MOSFET
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO252
- 最大漏极-源极电压(VDS):800V
- 最大门源电压(VGS):±30V
- 门源电压阈值(Vth):3.5V
- 门源电压为10V时的漏极电阻(mΩ):2600
- 最大漏极电流(ID):2A

领域和模块应用:



应用领域和模块示例:
1. 工业电源模块:由于其高漏极-源极电压和较高的漏极电流能力,VBE18R02S适用于工业电源模块,如电力转换器和逆变器。
2. LED照明驱动:VBE18R02S的低门源电压阈值和较低的导通电阻使其成为LED照明驱动电路中的理想选择,以实现高效率和稳定的功率输出。
3. 电动车充电器:该MOSFET可用于电动车充电器中的开关电源模块,以支持高电压和高电流的充电需求,并提高充电效率。
4. 太阳能逆变器:由于具有高电压和高电流承受能力,VBE18R02S可用于太阳能逆变器中,将太阳能电池板的直流输出转换为交流电源以供电网使用。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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