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VBF1206 产品详细

产品简介:

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VBF1206 是一款高性能单N沟道MOSFET,封装形式为TO251。它具有优异的电气特性,能够处理20V的漏源电压(VDS)和±20V的栅源电压(VGS)。该器件的门限电压(Vth)为0.83V,在VGS=10V时导通电阻(RDS(ON))低至5mΩ,并且可以提供高达85A的连续漏极电流。VBF1206 采用Trench技术,提供卓越的开关性能和低导通损耗,非常适合用于各种高效能的电子应用。

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产品参数:

详细参数说明

- **封装类型 (Package)**: TO251
- **器件类型 (Configuration)**: 单N沟道 (Single-N)
- **漏源电压 (VDS)**: 20V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **门限电压 (Vth)**: 0.83V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 5mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 85A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

应用领域和模块举例

1. **高效电源转换**: VBF1206 由于其低导通电阻和高电流处理能力,非常适合应用于高效的DC-DC转换器和开关电源(SMPS)。其优越的开关性能可以显著降低能量损失,提高整体系统的效率。

2. **电机驱动系统**: 在电机驱动和控制系统中,VBF1206 能够提供强大的电流支持,适用于各种电机控制模块,如步进电机驱动器和直流电机控制器。其高电流能力和低导通电阻确保电机运行的稳定性和效率。

3. **功率放大器**: 在需要高功率和高效能的功率放大器模块中,VBF1206 是理想的选择。它能够优化功率输出和提升放大器的性能,适用于广播、通信和音频放大应用。

4. **汽车电子**: VBF1206 也适用于汽车电子领域,包括电池管理系统、LED照明控制和电动窗户控制等应用。其高电流和低导通电阻特性能够满足汽车电子对高性能和可靠性的要求。

这些应用示例展示了VBF1206在电源转换、电机驱动、功率放大和汽车电子等领域的广泛适用性,使其成为高性能电子设备中的关键组件。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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