MOSFET

您现在的位置 > 首页 > MOSFET

VBE2355 产品详细

产品简介:

VBE2355 产品概述

VBE2355 是一款高性能 P 通道 MOSFET,采用 TO252 封装。它具有 -30V 的漏源电压 (VDS)、±20V 的栅源电压 (VGS) 容差和 -1.9V 的阈值电压 (Vth)。该器件采用 Trench 技术,提供了低导通电阻和优异的电流处理能力,适用于多种电子应用。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

详细参数说明

- **封装**: TO252
- **配置**: 单级 P 型
- **漏源电压 (VDS)**: -30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: -1.9V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 65mΩ @ VGS=4.5V
- 32mΩ @ VGS=10V
- **连续漏极电流 (ID)**: -14.9A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

应用举例

1. **电源开关**: VBE2355 适用于电源开关电路,例如 DC-DC 转换器和 AC-DC 适配器的反向电源开关。其低导通电阻和高电流处理能力确保了高效的电流控制和减少功率损耗。

2. **负载开关**: 在负载开关应用中,例如在便携式设备和电池供电系统中,VBE2355 提供可靠的开关性能,能够有效控制负载的开关操作。

3. **反向保护**: 在电池管理系统和反向电流保护电路中,VBE2355 可用于防止电流反向流动。其优良的导通电阻和耐压性能提供了可靠的电流保护,防止损坏电路。

4. **开关模式电源 (SMPS)**: 在开关模式电源中,VBE2355 能够有效控制电源的开关状态,提供稳定的电流输出,适用于高效率电源转换。

5. **音频放大器**: 在音频放大器电路中,VBE2355 的低导通电阻有助于减少信号失真,确保高质量的音频输出。

这些应用示例展示了 VBE2355 在各种电子应用中的灵活性和可靠性,使其在现代电子设计中成为一个重要的组件。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

序列号验证

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
序列号验证
在线咨询
电话咨询
微信咨询