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VBE2103M 产品详细

产品简介:

VBE2103M MOSFET 产品简介

VBE2103M 是一款单个 P 通道 MOSFET,封装类型为 TO252。该 MOSFET 采用了 Trench 技术,具有最大漏极-源极电压(VDS)为 -100V 和最大栅极-源极电压(VGS)为 ±20V。其阈值电压(Vth)为 -1.63V。VBE2103M 在栅源电压为 10V 时的导通电阻(RDS(ON))为 220mΩ,能够承载最高 10A 的连续漏极电流(ID)。

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产品参数:

详细参数说明

- **封装类型**: TO252
- **配置**: 单 P 通道
- **最大漏极-源极电压 (VDS)**: -100V
- **最大栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: -1.63V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 220mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏极电流 (ID)**: 10A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

应用领域示例

1. **电源开关**:
- VBE2103M 由于其适中的导通电阻和较高的电流承载能力,非常适合用作电源开关。它可以在电源管理电路中控制电流的流动,尤其是在负载较大的场合,如电源适配器或电池管理系统中。

2. **负载开关**:
- 在负载开关应用中,VBE2103M 可以用作负载控制开关,特别是在需要反向电压处理的应用中。其高电流能力和稳定性使其能够有效管理各种负载,如LED驱动器或电机控制电路。

3. **汽车电子**:
- 在汽车电子系统中,VBE2103M 可用于各种开关控制应用,如车灯控制、车窗升降器等。它能够在高电压环境下稳定工作,并且可以承载足够的电流,确保汽车系统的可靠性和稳定性。

4. **功率管理系统**:
- 在功率管理系统中,特别是在高电流开关和电源转换器中,VBE2103M 的低导通电阻和高电流能力能够显著提高系统的效率和稳定性。这使其非常适合用于高电压电源转换器和功率分配应用。

5. **通信设备**:
- 在通信设备中,VBE2103M 可以作为开关组件来控制电路中的电流流动,尤其是在高电压通信模块中。其高电流承载能力确保了通信设备的可靠性和信号完整性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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