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VBE1151M 产品详细

产品简介:

VBE1151M MOSFET 产品简介

VBE1151M 是一款高性能 N 沟道 MOSFET,专为中高压和中电流应用设计。它采用 TO-252 封装,具有 150V 的漏源电压(V_DS)和 ±20V 的栅源电压(V_GS)。该 MOSFET 的阈值电压(V_th)为 1.89V,开态电阻(R_DS(ON))为 100 mΩ(在 V_GS 为 10V 时),能够承受高达 15A 的连续漏电流(I_D)。VBE1151M 采用沟槽(Trench)技术,以提供良好的开关性能和稳定的电流处理能力,适用于各种要求中高压和中等电流的应用场景。

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产品参数:

详细参数说明

1. **封装**:TO-252
- 提供了良好的散热性能和适中的占板面积,适合各种电路设计需求。

2. **配置**:单个 N 沟道
- 适合用于各种开关控制电路,提高电路的集成度和灵活性。

3. **V_DS(漏源电压)**:150V
- 支持高压应用,能够处理更高电压的开关需求。

4. **V_GS(栅源电压)**:±20V
- 提供灵活的栅极驱动电压,适应不同的控制电压要求。

5. **V_th(阈值电压)**:1.89V
- 在此电压下,MOSFET 开始导通,确保低电压控制下的稳定操作。

6. **R_DS(ON)(开态电阻)**:100 mΩ @ V_GS = 10V
- 相对较低的开态电阻,虽然稍高于高性能 MOSFET,但仍然能有效降低功耗并提高开关效率。

7. **I_D(连续漏电流)**:15A
- 适用于中等电流的应用场合,能够处理适度的电流负载。

8. **技术**:沟槽型(Trench)
- 提供良好的开关性能和稳定的电流处理能力,适合各种中高压应用。

领域和模块应用:

应用实例

**1. 电源管理:**
- **领域**:开关电源
- **实例**:VBE1151M 可以用于开关电源(SMPS)中,尤其是在高压电源模块的应用中。其高压承受能力和稳定的开关性能使其能够有效地处理电源中的高电压和中等电流负载,提升电源的稳定性和效率。

**2. 电机控制:**
- **领域**:工业自动化
- **实例**:在电机驱动电路中,VBE1151M 可用于中等电流电机的开关控制。由于其良好的开关性能和适中的电流处理能力,能够确保电机在工业自动化系统中的平稳运行。

**3. 电子开关:**
- **领域**:家电产品
- **实例**:应用于家电产品中的电子开关,例如高压继电器的替代品。VBE1151M 的高压耐受能力和中等电流处理能力使其适用于各种家电中的开关控制应用。

**4. 逆变器:**
- **领域**:太阳能系统
- **实例**:在太阳能逆变器中,VBE1151M 可以用于逆变器的开关控制,帮助将直流电转换为交流电。其高压能力和稳定性能有助于提高逆变器的整体效率和可靠性。

**5. 电池保护:**
- **领域**:电池管理系统
- **实例**:在电池管理系统中,VBE1151M 用于保护电池免受过电流和过电压的影响。其高压承受能力和中等电流处理能力确保了电池系统的安全和稳定运行。

总之,VBE1151M MOSFET 是一款中高压、中电流应用的高性能开关器件,广泛适用于各种要求稳定性和可靠性的电子应用。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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