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VBA1151M 产品详细

产品简介:

产品简介

VBA1151M是一款高性能的单N沟道MOSFET,采用SOP8封装。其主要特点包括150V的漏源电压(VDS)、±20V的栅源电压(VGS)和2.1V的阈值电压(Vth)。该器件在VGS为4.5V时具有112mΩ的导通电阻(RDS(ON)),在VGS为10V时导通电阻为108mΩ,支持高达4.5A的连续漏极电流(ID)。VBA1151M采用先进的Trench技术,具有优异的开关性能和高效能,适用于多种高压应用场景。

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产品参数:

详细参数说明

- **型号**: VBA1151M
- **封装类型**: SOP8
- **配置**: 单N沟道(Single-N)
- **漏源电压(VDS)**: 150V
- **栅源电压(VGS)**: ±20V
- **阈值电压(Vth)**: 2.1V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 112mΩ @ VGS=4.5V
- 108mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID)**: 4.5A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

适用领域和模块举例

1. **电源管理**
VBA1151M因其较高的漏源电压和低导通电阻,适合用于电源管理模块。在这些应用中,它可以用于DC-DC转换器、电源开关和电压调节电路,提供高效、稳定的电源解决方案。

2. **汽车电子**
在汽车电子系统中,VBA1151M的高电压耐受能力和高开关性能使其成为理想选择。它可以用于汽车的电源转换器、负载开关和保护电路,提高系统的稳定性和可靠性。

3. **LED驱动器**
VBA1151M的低导通电阻和高电流处理能力非常适合LED驱动器应用。在LED灯具中,MOSFET可以用作开关或调光器,帮助实现高效的电流控制和较长的使用寿命。

4. **通信设备**
在通信设备中,VBA1151M可用于高压开关和保护电路,确保设备在高压条件下的稳定运行。其Trench技术能够提供优异的开关性能,有助于提高通信设备的信号完整性和系统稳定性。

这些应用示例展示了VBA1151M在高压、电源管理和高效开关领域中的广泛适用性,其出色的电气特性使其成为多种关键应用的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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