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VBE185R06 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBsemi的VBE185R06是一款单N沟道场效应晶体管产品,具有850V的漏极-源极电压(VDS),6A的漏极电流(ID),并采用了Plannar技术。该产品封装为TO252,适用于多种应用场合。

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产品参数:

详细参数说明:
- 漏极-源极电压(VDS):850V
- 栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- VGS=4.5V时的导通电阻(mΩ):2125mΩ
- VGS=10V时的导通电阻(mΩ):1700mΩ
- 漏极电流(ID):6A
- 技术:Plannar

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 电源管理模块:VBE185R06可用于各种电源管理模块,如电源适配器、开关电源等,为电子设备提供稳定的电源输出。
2. 可再生能源转换系统:该产品适用于太阳能和风能等可再生能源转换系统中的逆变器模块,实现可再生能源的转换和利用。
3. 工业自动化控制:VBE185R06可用于工业自动化控制系统中的电机控制模块,实现机械设备的精确控制和调节。
4. LED照明驱动:在LED照明领域,该产品可用于LED驱动电路,提供稳定的电流输出,用于室内和室外LED照明设备。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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