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VBE1308 产品详细

产品简介:

产品简介

VBE1308 是一款高性能单N沟道MOSFET,采用TO252封装。它具备出色的电气特性,能够处理30V的漏源电压(VDS)和±20V的栅源电压(VGS)。其门限电压(Vth)为1.5V,在VGS=10V时导通电阻(RDS(ON))仅为7mΩ,能够提供高达70A的连续漏极电流。该器件采用了Trench技术,具备优秀的开关性能和低导通损耗,非常适合用于各种高效率和高功率密度的应用。

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产品参数:

详细参数说明

- **封装类型 (Package)**: TO252
- **器件类型 (Configuration)**: 单N沟道 (Single-N)
- **漏源电压 (VDS)**: 30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **门限电压 (Vth)**: 1.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 7mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 70A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

应用领域和模块举例

1. **高效率电源管理**: VBE1308 由于其极低的导通电阻和高电流能力,非常适合用于高效率开关电源(SMPS)和DC-DC转换器。在这些应用中,该器件能够减少功率损耗,提高系统的整体效率。

2. **电机驱动**: 在电机驱动系统中,该MOSFET能够提供稳定的高电流支持,适用于各种电机控制模块和电机驱动器。其高电流处理能力和低导通电阻确保电机的高效运行和精确控制。

3. **功率放大器**: 在功率放大器模块中,VBE1308 的高电流和低导通电阻使其成为理想选择。这些特性能够优化放大器的功率输出和效率,特别是在高功率和高频率的应用中。

4. **汽车电子**: VBE1308 也适用于汽车电子领域,如电池管理系统、智能电动门控制和其他需要高功率开关的应用。其优异的电气性能能够满足汽车电子对可靠性和效率的严格要求。

这些应用场景展示了VBE1308在高效电源管理、电机驱动、功率放大器和汽车电子等领域的广泛适用性,使其成为高性能电子系统中的关键组件。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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