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VBL1206N 产品详细

产品简介:

VBL1206N 产品简介
产品介绍
VBL1206N 是一款高性能 N-channel MOSFET,设计用于需要高电流和高电压的电源开关应用。封装为 TO263,单 N-channel 配置,这款 MOSFET 具有 200V 的漏源电压 (VDS) 和 ±20V 的栅源电压 (VGS)。该器件的门槛电压 (Vth) 为 3V,RDS(ON) 为 50mΩ (VGS = 10V),并且最大持续漏电流 (ID) 为 40A。采用了 Trench 技术,VBL1206N 提供了优越的开关性能和低功耗表现。


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产品参数:

详细参数
- **封装:** TO263
- **配置:** 单 N-channel
- **漏源电压 (VDS):** 200V
- **栅源电压 (VGS):** ±20V
- **门槛电压 (Vth):** 3V
- **导通电阻 (RDS(ON)):** 50mΩ @ VGS = 10V
- **持续漏电流 (ID):** 40A
- **技术:** Trench

领域和模块应用:

应用示例
1. **电源管理:**
VBL1206N 非常适合用于电源管理系统,包括开关电源 (SMPS) 和直流-直流转换器。其高电压和大电流处理能力使其能够有效控制电源的开关,提供稳定可靠的电源输出。

2. **电动汽车:**
在电动汽车中,VBL1206N 可用于电池管理系统 (BMS) 和电动机驱动电路。其高电流承受能力和低导通电阻确保了电池和电动机的高效运行,并提高了整体系统的能效和可靠性。

3. **工业控制:**
在工业控制系统中,VBL1206N 可用于驱动负载和开关控制电路。其耐高电压和高电流的特性,使其在各种工业自动化应用中表现出色,如电机控制和负载切换。

4. **LED 驱动:**
在 LED 驱动应用中,VBL1206N 可以用作高电流 LED 驱动电路的开关元件。其低导通电阻和高电流能力使其能够高效驱动 LED,保证亮度一致性和能效。

总体而言,VBL1206N MOSFET 是一个多功能组件,适用于各种高电流和高电压应用场景,确保高效能和可靠的性能。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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