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VBP19R10S 产品详细

产品简介:

VBP19R10S MOSFET 产品简介
产品简介:
VBP19R10S 是一款单 N 沟道 MOSFET,封装形式为 TO-247。这款 MOSFET 适用于高电压应用,能够承受高达 900V 的漏源电压(VDS)和 ±30V 的栅源电压(VGS)。其门限电压(Vth)为 3V,在 VGS = 10V 时,导通电阻(RDS(ON))为 750mΩ,支持的连续漏极电流(ID)最高可达 10A。该器件采用 SJ_Multi-EPI 技术,适合用于需要高电压和较大电流的应用场景。

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产品参数:

详细参数:
- **封装形式**:TO-247
- **配置**:单 N 沟道
- **最大漏源电压 (VDS)**:900V
- **最大栅源电压 (VGS)**:±30V
- **门限电压 (Vth)**:3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:750mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏极电流 (ID)**:10A
- **技术**:SJ_Multi-EPI

领域和模块应用:

应用实例:

1. **高压电源转换器**:
VBP19R10S 适用于高压开关电源和 DC-DC 转换器。其高电压耐受能力和适中的导通电阻使其能够在高压条件下稳定工作,适合用于电源模块的高压开关应用。

2. **工业电机驱动**:
在工业电机驱动系统中,VBP19R10S 能够处理高电压的启动和控制需求。其较高的漏极电流能力和良好的电压耐受性确保了电机在负载变化时的可靠运行。

3. **高压照明控制**:
适用于高压照明系统,如氙气灯或其他高功率照明设备。该 MOSFET 可以在高电压条件下稳定开关,确保照明系统的高效和稳定运行。

4. **逆变器和电源模块**:
在太阳能逆变器和其他电源模块中,VBP19R10S 的高电压处理能力使其适合用来进行高效的电能转换。其性能能够支持逆变器将直流电源转换为交流电源的过程。

5. **焊接设备**:
在高电压焊接设备中,VBP19R10S 的耐高压特性使其能够在高电压条件下稳定工作,适合用于焊接控制电路的高压开关。

6. **电池管理系统**:
在高电压电池管理系统中,例如电动汽车的电池组,VBP19R10S 可以用于管理充电和放电过程中的高电压开关,确保系统的安全性和效率。

通过使用 VBP19R10S MOSFET,工程师可以在各种高电压和大电流的应用中获得稳定、可靠的开关性能,满足严格的电气要求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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